4N铬靶的制备工艺主要涉及高纯度原料处理、熔炼成型及后期加工，核心方法包括真空熔炼法和粉末冶金法，具体流程如下：

1. ‌原料准备‌

纯度要求‌：选用初始纯度≥99.9%的铬原料，通过化学清洗和真空干燥去除表面氧化物及杂质。

物理处理‌：对原料进行筛分或球磨，确保颗粒均匀性，避免后续熔炼或烧结时出现密度不均‌。

2. ‌熔炼成型‌

真空电弧熔炼‌：在真空环境中高温熔化铬原料，通过电弧加热到熔点以上，冷却后形成致密铬锭。此方法可有效避免氧、氮等杂质混入，适合工业级高纯度靶材生产。

电子束熔炼‌：纯度更高，但设备成本昂贵，多用于高端半导体领域。

3. ‌粉末冶金法

冷等静压成型‌：将铬粉装入模具，以100-180MPa压力压制成坯料，保压15-20分钟‌。

热等静压烧结‌：分阶段进行脱气和高温烧结，压力300-450MPa，获得高致密度靶材‌。

4. ‌后期加工‌

机械加工‌：通过锻造、轧制或挤压将铬锭加工为靶材，结合冷轧/热轧提升密度和均匀性。

表面处理‌：研磨抛光到表面粗糙度≤0.1μm，确保溅射镀膜时的薄膜均匀性‌。

5. ‌质量控制‌

纯度检测‌：采用ICP-OES或XRF分析杂质含量，确保达到4N标准‌。

密度与晶粒‌：靶材密度需接近理论值7.19 g/cm³，晶粒尺寸控制在微米级以优化溅射性能‌。