鄒多弧ターゲットは原子源としてアーク放電に基づく物理蒸着のための技術である。鄒マルチアークめっき中、ターゲットと基板との間の電位差を設定することにより、強い局所アーク放電を誘発する。これらのアークはターゲット表面の材料を迅速に蒸発させ、高エネルギーのイオンと原子を生成することができる。アーク発生高エネルギープラズマは極めて高い化学活性と運動エネルギーを有し、堆積過程におけるコーティングと基板の結合力をより強くし、より低い基板温度で硬質で緻密な薄膜を堆積することができる。この技術はその高エネルギープラズマの特性により、より緻密で密着性の高いコーティングを生産することができ、これは極端な耐摩耗性と耐食性が要求される応用において特に重要である。マルチアークめっき装置は通常、従来のスパッタリングよりもはるかに高い蒸着速度を有するより高い電源安定性とより精密なアーク制御技術を要求し、これによりマルチアークめっき膜は工業的大規模生産に適している。
マルチアークターゲットとスパッタリングターゲットはスパッタリングめっき技術における2つの主要なタイプであり、スパッタリングめっき膜は物理蒸着過程であり、高電圧を印加することによりアルゴンガスをイオン化させてプラズマを形成し、帯電したアルゴンイオンが電界の駆動下で高速にターゲットに衝突し、ターゲット原子または分子が物理的衝突により表面から脱出し、薄膜を形成する。スパッタリングターゲットは、形状に応じて平面ターゲット、マルチアークターゲット、回転ターゲットに分けることができる。マルチアークターゲットとマルチアークめっき技術は応用分野においてその独特な優位性を示し、特に電子業界の応用において、例えば半導体製造であり、ここで銅ターゲットはスパッタリング技術を通じて集積回路中の導電経路を作製するために用いられる。
